1、确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和“高端”容限。
2、瞬变抑制二极管额定反向关断外狒芙梨VWM 应大于或等于被保护电路的最大工作电压。若选用的VWM 太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。串行连接分电压，并行连接分电流。
3、瞬变抑制二极管 的最大箝位电压VC 应小于被保护电路的损坏电压。
4、在规定的脉冲持续时间内，瞬变抑制二极管 的最大峰值脉冲功耗PM 必须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率。在确定 最大箝位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。
5、对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C 的瞬变抑制二极管 器件。
6、根据用途选用瞬变抑制二极管 的极性及封装结构。交流电路选用双极性瞬变抑制二极管较为合理；多线保护选用瞬变抑制二极管 阵列更为有利。
7、温度考虑。瞬态电压抑制器可以在－55~+150℃之间皤材装肢工作。如果需要瞬变抑制二极管在一个变化的温度 工作，由于其反向漏电流ID是随增加而增大；功耗随瞬变抑制二极管结温增加而下降，从+25℃到+175℃，大约线性下降50％雨击穿电压VBR 随温度的增加按一定的系数增加。因此，必须查阅有关产品资料，考虑温度变化对其特性的影响。
