1、 伏安特性 （1)正向特性：当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或开启电压。当V＞Vth时，开始出现正向电流，并按指数规律增长。 (2) 反向特性：当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且基本不随反向电压的变化而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS。 当V≥VBR时，反向电流急剧增加。VBR称为反向击穿电压。从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7 V时，主要是雪崩击穿；若VBR≤4 V则主要是齐纳击穿，当在4V～7 V之间两种击穿都有，
2、正向压降( Vf) 当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值以后，二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压称为二极管的。“正向压降”。說明此正向压降時通常必须注明对应之电流(Vf @If), 而且一般应用状况下, 系统会希望此二极管之正向压降愈小愈好。
3、反向电流( IR ) 二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流(leakage current)。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。 反向电流是指二极管在规定的温度和最高反向电压作用下，流过二极管的漏电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10，反向电流增大一倍。說明此反向电流時通常必须注明对应之电压及温度(IR @VR, Temp.)。
4、 最高反向工作电压( VRRM) 加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。 注意: 说明或比较VRRM的大小时，必须同时标示其对应的漏电流(IR)大小，这样才能互相比较。
5、 额定正向工作电流( Io ) 是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。通常Io的大小与环境温度息息相关，在测试及标示上需要特别注意。
6、 反向恢复时间( trr) 二极管工作状态由正向偏置(forward bias)转换到反向偏置(reverse bias)时，由于电荷储存(电容)效应，二极管反向漏电流无法立即回复到正常状态，甚至会有overshooting的现象产生，也就是必需历经一些时间才能完全回复到截止状态，这段时间通常称作反向恢复时间，一般较精确的定义为二极管开始发生反向偏置(reverse bias)的时间点算起，一直到漏电流恢复到期间最大漏电流的10%为止。
7、正向电流浪涌(IFSM) 二极管工作时, 经常会因为输入开关on/off切换、瞬间启动或其它电压/电流感应源的影响, 对二极管产生瞬间电流浪涌(Surge Current), 若超过二极管容忍程度, 会造成二极管特性改变、退化、或严重损坏, IFSM就是指二极管能够承受此瞬间电流浪涌的最大值。
