1、切片：采用多线切割，将硅棒切割成正方形的硅片
2、清洗：用常规的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片表面切割损伤层除去30－50um
3、制备绒面：用碱溶液对硅片进行各向异性腐蚀在硅片表面制备绒面
4、磷扩散：采用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行扩散，制成PN＋结，结深一般为0.3－0.5um
5、周边刻蚀：扩散时在硅片周边表面形成的扩散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边扩散层
6、去除背面PN＋结。常用湿法腐蚀或磨片法除去背面PN＋结
7、制作上下电极：用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧窑钕仇焱结等工艺。先制作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是大量采用的工艺方法
8、制作减反射膜：为了减少入反射损失，要在硅片表面上覆盖一层减反射膜。制作减反射膜的材料有MgF2，SiO2，Al2O3，SiO，Si3N4，TiO2，Ta2O5等。工艺方法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等
9、烧结：将电池芯片烧结于镍或铜的底板上
10、测试分档：按规定参数规范，测试分类
