1、下图所示中的Cgd是NMOS管的栅和漏之间的电容
2、我们设定G端的电压为Vg，D端的电压为Vo
3、根据CS放大电路，我们可以认为Vo=-gmRLVg，如下图所示
4、根据该电容两端的电压和电容之间的关系我们可以推出从G看过去到地的电容为Cgd（1+gmRL）。
5、Cgd（1+gmRL）可以这样理解，从输入到输出，电压从正向变为反向，所以电容上也有这么多的电荷变化才可以产生如此大的电压变化，所以，从输入端看过去电容应该很大。
6、因为Cgd是跨在输入和输出之间，信号除了从输入到输出，当然也会有信号从输出到输入的，也就是我们平时所说的反馈。现在假定输出端电压为VO，则G端的电压为-Vo/gmRL
7、再根据电容两端的电压和电流关系，可以得出从输出端看过去的电容近似为Cgd
8、总结如下：米勒电容从输入端看过去增大了gmRL倍，从输出端看过去还是原来的大小。
