1）通过测量管脚艨朵娈醒温度和芯片耗散功率和热阻系数求得结温。但是因为耗散功率和热阻系数的不准确，所以测量精度比较低。
2）红外热芤晟踔肿成像法，利用红外非接触温度仪直接测量LED 芯片的温度，但要求被测器件处于未封装的状态，另外对LED 封装材料折射率有特殊要求，否则无法准确测量，测量精度比较低。
3）利用发光光谱峰位移测定结温，也是一种非接触的测量方法，直接从发光光谱确定禁带宽度移动技术来测量结温，这一方法对光谱测试仪器分辨精度要求较高，发光峰位的精度测定难度较大，而光谱峰位移1 纳米的误差变化就对应着测量结温约30 度的变化，所以测量精度和重复性都比较低。
4）向列型液晶热成像技术，对仪器分辨率要求高，只能测量未封装的单个裸芯片，不能测量封装后的LED。
5）利用二极管 PN 结电压与结温的Vf-TJ 关系曲线，来测量LED 的结温。
从上述介绍的各种 LED 结温的测量方法可看出，采用监视二极管PN 结电压的变化来推算结温的方法最具有可行性并且测量精度也最高，所以在很多集成IC 电路中，为了检测IC 芯片的工作结温，往往会刻出或值入1 个或几个二极管，通过测量其正向电压降的变化来达到测量芯片结温的目的。
