1、 上图显示的是降压电源频率与体积的关系。频率为 100 kHz 时，电感占据了电源体积的大部分(深蓝色区域)。同步降压转换器中的传导损耗与 MOSFET 的裸渔镭沃昏片面积成反比关系。MOSFET 面积越大，其电阻和传导损耗就越低。
2、 2.开关损耗与 MOSFET 开关的速度以及 MOSFET 具有多少输入和输出电容有关。这些都与器件尺寸的大小相关。大体积器件具有较慢的开关速度以及更多的电容。
3、 3.下图 显示了两种不同工作频率 (F)的关系。传导损耗 (Pcon)与工作频率无关，而开关损耗 (Psw F1 和 Psw 僻棍募暖F2) 与工作频率成正比例关系。因此更高的工作频率 (Psw F2) 会产生更高的开关损耗。
4、 4.当开关损耗和传导损耗相等时，每种工作频率的总损耗最低。但是，在更高的工作频率下，最佳裸片面积较小，从而带来成本节约。实际上，在低频率下，通过调整裸片面积来最小化损耗会带来极高成本的设计。
5、 5.但是，转到更高工作频率后，我们就可以优化裸片面积来降低损耗，从而缩小电源的半导体体积。如果我们不改进半导体技术，那么电源效率将会降低。
6、 6.有了陶瓷电容，我们就可以使用更低的电容值或更少的电容。这有助于缩小半导体裸片面积，进而降低成本。
