时间:2024-10-12 15:25:05
1、在光的照射下溶解速率发生变化,利用曝光区与非曝光区的溶解速率差来实现图形的转移。
2、溶解抑制/溶解促进共同作用。
3、将掩膜板上的图形转移到硅片表面的氧化层。
4、在后续工序中,保护下面的材料(刻蚀或离子注入)。