1、长晶主要程式：
2、融化（MELtDown） 此过程是将置放于石英坩锅内的块状复晶硅加热制高于摄氏1420度的融化温度之上，此阶段中最重要的参数为坩锅的位置与热量的供应，若使用较大的功率来融化复晶硅，石英坩锅的寿命会降低，反之功率太低则融化的过程费时太久，影响整体的产能。
3、颈部成长（Neck Growth） 当硅融浆的温俣觊鄄幼度稳定之后，将方向的晶种渐渐注入液中，接着将晶种往上拉升，并使直径缩小到一定（约6mm），维持此直径并拉长10-20cm，以茇坍酮踪消除晶种内的排差（dislocation），此种零排差（dislocation-free）的控制主要为将排差局限在颈部的成长。
4、晶冠成长（Crown Growth） 长完颈部后，慢慢地降低拉速与温度，使颈部的直径逐渐增加到所需的大小。
5、尾部成长（Tail Growth） 当晶体成长到固定（需要）的长度后，晶棒的直径必须逐渐地缩小，直到与液面分开，此乃避免因热应力造成排差与滑移面现象。
6、切割： 晶棒长成以后就可以把它切割成一片一片的，也就是外延片。芯片， 圆片，是半导体元件“芯片”或“芯片”的基材，从拉伸长出的高纯度硅元素晶柱 （Crystal Ingot）上，所切下之圆形薄片称为外延片（外延片）。
7、磊晶： 砷化镓磊晶依制程的不同，可分为LPE（液相磊晶）、MOCVD（有机金属气相磊晶）及MBE（分子束磊晶）。LPE的技术较低，主要用于一芫王墙错般的发光二极体，而MBE的技术层次较高，容易成长极薄的磊晶，且纯度高，平整性好，但量产能力低，磊晶成长速度慢。MOCVD除了纯度高，平整性好外，量产能力及磊晶成长速度亦较MBE为快，所以现在大都以MOCVD来生产。
